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一、HRMD2110PMCC 型高低邊MOSFET 驅(qū)動器

1.1產(chǎn)品介紹

HRMD2110PMCC 高壓高速功率MOSFET 與IGBT 驅(qū)動器采用獨(dú)立高低側(cè)參考輸出通道設(shè)計，搭載專有HVIC 技術(shù)及抗閂鎖CMOS 工藝，實現(xiàn)模塊化單片集成。邏輯輸入兼容標(biāo)準(zhǔn)CMOS 或LSTTL 輸出（低至3.3V 邏輯電平），輸出驅(qū)動器配備高脈沖電流緩沖級，有效抑制驅(qū)動器交叉導(dǎo)通現(xiàn)象。信號傳輸延遲經(jīng)過精密匹配，便于高頻應(yīng)用。浮置通道支持驅(qū)動N 溝道功率MOSFET 或IGBT 的高側(cè)配置，工作電壓最高可達(dá)600V。

1.2產(chǎn)品特性

·  浮動通道設(shè)計用于自舉操作，可運(yùn)行至+600V

·  柵極驅(qū)動供電范圍：10V 至20V

·  兩個通道欠壓鎖定

·  3.3V 邏輯兼容邏輯電源范圍為3.3V 至20V，邏輯和電源接地±5V 偏移

·  CMOS 施密特觸發(fā)器輸入端帶下拉功能

·  逐周期邊沿觸發(fā)關(guān)機(jī)邏輯

·  兩個信道的匹配傳播延遲

·  輸出與輸入同步

1.3產(chǎn)品典型應(yīng)用

二、HRD614 型14A 低邊MOSFET 驅(qū)動器

2.1產(chǎn)品介紹

HRD_614 型14A 低邊MOSFET 驅(qū)動器特別適合驅(qū)動最新的MOSFET 和IGBT。每個輸出可以提供14A 的峰值電流，同時產(chǎn)生小于30ns 的電壓上升和下降時間。內(nèi)部電路消除了跨導(dǎo)通和電流“穿透”，使驅(qū)動器在很大程度上免受鎖存的影響。低傳播延遲以及快速的上升和下降時間使HRD_614 系列非常適合高頻和高功率應(yīng)用。

RDD614 被配置為帶使能的非反相驅(qū)動器。HRDN614 被配置為非反相驅(qū)動器，而HRDI614 被配置為反相驅(qū)動器。HRD_614 系列用在8 引腳塑封表貼SOP 封裝中。

2.2產(chǎn)品特性

·  14A 峰值拉電流/灌電流

·  工作電壓范圍：4V~35V

·  輸入電壓范圍：-5V~VCC

·  低傳播延遲時間

·  10μA 典型供電電流

·  低輸出阻抗

2.3產(chǎn)品真值表

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