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全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，開發(fā)出實現業(yè)界超寬SOA*1范圍的100V耐壓功率MOSFET“RS7P200BM”。該款產品采用5060尺寸（5.0mm×6.0mm）封裝，非常適用于采用48V電源AI服務器的熱插拔電路*2，以及需要電池保護的工業(yè)設備電源等應用。

RS7P200BM采用小型DFN5060-8S（5060尺寸）封裝，與ROHM在2025年5月發(fā)售的DFN8080-8S（8.0mm×8.0mm尺寸）封裝AI服務器用功率MOSFET“RY7P250BM”相比，可實現更高密度的安裝。

新產品在VDS=48V工作條件下，可確保脈沖寬度10ms時7.5A、1ms時25A的寬SOA范圍。同時，還實現了與之存在權衡關系的低導通電阻（RDS(on)）*3 4.0mΩ（條件：VGS=10V、ID=50A、Ta=25℃）。通過抑制通電時的發(fā)熱，有助于提高服務器電源的效率并減輕冷卻負荷，進而進一步降低電力成本。

新產品已于2025年9月開始量產（樣品價格800日元/個，不含稅）。本產品已經開始通過電商進行銷售，通過電商平臺均可購買。

未來，ROHM將持續(xù)擴充適用于AI服務器等所用的48V電源的產品陣容，通過提供效率高且可靠性高的解決方案，為進一步節(jié)能和構建可持續(xù)的ICT基礎設施貢獻力量。

＜開發(fā)背景＞    

隨著AI技術的飛速發(fā)展和普及，搭載生成式AI和高性能GPU的服務器對穩(wěn)定運行和能效提升的需求日益增長。尤其在熱插拔電路中，能夠應對浪涌電流*4和過負載、實現穩(wěn)定運行的寬SOA范圍功率MOSFET至關重要。另外，在數據中心和AI服務器領域，為了節(jié)能而正在加速向電源轉換效率的48V電源系統轉型，如何構建與其適配的高耐壓、高效率電源電路成為當前的技術課題。

ROHM通過推出符合市場需求的5060尺寸封裝新產品，進一步強化適用于AI服務器熱插拔電路的100V耐壓功率MOSFET產品陣容。未來，ROHM將繼續(xù)致力于降低數據中心的功率損耗、減輕冷卻負荷，進而為提升服務器系統的可靠性和節(jié)能性能做出貢獻。

＜應用示例＞

48V系統AI服務器和數據中心電源的熱插拔電路

48V系統工業(yè)設備電源（叉車、電動工具、機器人、風扇電機等）

AGV（自動引導車）等電池驅動的工業(yè)設備

UPS、應急電源系統（電池備份單元）

＜關于EcoMOS™品牌＞

EcoMOS™是ROHM開發(fā)的Si功率MOSFET品牌，非常適用于功率元器件領域對節(jié)能要求高的應用。

EcoMOS™產品陣容豐富，已被廣泛用于家用電器、工業(yè)設備和車載等領域。客戶可根據應用需求，通過噪聲性能和開關性能等各種參數從產品陣容中選擇產品。

・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

＜術語解說＞

*1) SOA（Safe Operating Area）

元器件不損壞且可安全工作的電壓和電流范圍。超出該安全工作區(qū)工作可能會導致熱失控或損壞，特別是在會發(fā)生浪涌電流和過電流的應用中，需要考慮SOA范圍。

*2）熱插拔電路

可在設備電源運轉狀態(tài)下實現元器件插入或拆卸的、支持熱插拔功能的整個電路。由MOSFET、保護元件和接插件等組成，負責抑制元器件插入時產生的浪涌電流并提供過流保護，從而確保系統和所連接元器件的安全工作。

*3) 導通電阻（RDS(on)）

MOSFET啟動時漏極與源極之間的電阻值。該值越小，工作時的損耗（功率損耗）越少。

*4）浪涌電流（Inrush Current）

在電子設備接通電源時，瞬間流過的超過額定電流值的大電流。因其會給電源電路中的元器件造成負荷，所以通過控制浪涌電流，可防止設備損壞并提高系統穩(wěn)定性。